型號: | MUN2230RT1 |
廠商: | 樂山無線電股份有限公司 |
元件分類: | 壓敏電阻 |
英文描述: | VARISTOR TVS ESD 26VDC 300A 1210 |
中文描述: | 偏置電阻晶體管 |
文件頁數(shù): | 8/12頁 |
文件大?。?/td> | 263K |
代理商: | MUN2230RT1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MUN2211RT1 | Bias Resistor Transistor |
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MUN2234T1 | Bias Resistor Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MUN2230T1 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
MUN2230T1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
MUN2231 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
MUN2231RT1 | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistor |
MUN2231T1 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |