參數(shù)資料
型號(hào)： MUN2215T1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
中文描述： 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： CASE 318D-04, SC-59, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 11/12頁(yè)
文件大?。?/td> 263K
代理商： MUN2215T1
11
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 318D–03
ISSUE E
SC–59
STYLE 1:
PIN 1. EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
S
G
H
D
C
B
L
A
1
3
2
J
K
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
MIN
2.70
1.30
1.00
0.35
1.70
0.013
0.10
0.20
1.25
2.50
MAX
3.10
1.70
1.30
0.50
2.10
0.100
0.26
0.60
1.65
3.00
MIN
MAX
0.1220
0.0669
0.0511
0.0196
0.0826
0.0040
0.0102
0.0236
0.0649
0.1181
INCHES
0.1063
0.0512
0.0394
0.0138
0.0670
0.0005
0.0040
0.0079
0.0493
0.0985
MILLIMETERS
NOTES:
1.
DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
2.
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PDF描述
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MUN2230T1 COUNTER DIGITAL 240VAC OCT 11PIN
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參數(shù)描述
MUN2215T1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 SS BR XSTR NPN 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN2216 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
MUN2216RT1 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistor
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MUN2216T1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 SS BR XSTR NPN 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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