參數(shù)資料
型號(hào)： MUN2214T1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
中文描述： 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： CASE 318D-04, SC-59, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大小： 263K
代理商： MUN2214T1
6
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN2213T1
V
I
h
Figure 12. VCE(sat) versus IC
0
2
4
6
8
10
100
10
1
0.1
0.01
0.001
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
TA= –25
°
C
75
°
C
25
°
C
Figure 13. DC Current Gain
Figure 14. Output Capacitance
100
10
1
0.1
0
10
20
30
40
50
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 15. Output Current versus Input Voltage
1000
10
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
TA= 75
°
C
25
°
C
–25
°
C
100
101
100
Figure 16. Input Voltage versus Output Current
0
20
40
60
80
10
1
0.1
0.01
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
TA= –25
°
C
25
°
C
75
°
C
V
TA= –25
°
C
25
°
C
75
°
C
50
0
10
20
30
40
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
C
VCE = 10 V
f = 1 MHz
IE = 0 V
TA = 25
°
C
VO = 5 V
VO = 0.2 V
IC/IB = 10
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MUN2214T3 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN2214T3G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN2215 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
MUN2215RT1 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistor
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