參數(shù)資料
型號: MUN2214
廠商: ON SEMICONDUCTOR
英文描述: NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
中文描述: NPN硅偏置電阻晶體管
文件頁數(shù): 11/12頁
文件大小: 263K
代理商: MUN2214
11
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 318D–03
ISSUE E
SC–59
STYLE 1:
PIN 1. EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
S
G
H
D
C
B
L
A
1
3
2
J
K
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
MIN
2.70
1.30
1.00
0.35
1.70
0.013
0.10
0.20
1.25
2.50
MAX
3.10
1.70
1.30
0.50
2.10
0.100
0.26
0.60
1.65
3.00
MIN
MAX
0.1220
0.0669
0.0511
0.0196
0.0826
0.0040
0.0102
0.0236
0.0649
0.1181
INCHES
0.1063
0.0512
0.0394
0.0138
0.0670
0.0005
0.0040
0.0079
0.0493
0.0985
MILLIMETERS
NOTES:
1.
DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
2.
相關PDF資料
PDF描述
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MUN2216 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
MUN2230 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
MUN2231 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MUN2214RT1 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistor
MUN2214T1 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN2214T1G 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 SS BR XSTR PNP 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN2214T3 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN2214T3G 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel