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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MUN2212T3 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SC-59, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 35/39頁 |
| 文件大小： | 374K |
| 代理商： | MUN2212T3 |
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MUN2211T1 SERIES
2–742
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN2212T1
V
in
,INPUT
VOL
TAGE
(VOL
TS)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
(NORMALIZED)
Figure 7. VCE(sat) versus IC
Figure 8. DC Current Gain
Figure 9. Output Capacitance
Figure 10. Output Current versus Input Voltage
1000
10
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
TA =75°C
25
°C
–25
°C
100
10
1
100
75
°C
25
°C
100
0
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
10
1
0.1
0.01
0.001
24
6
8
10
TA = –25°C
0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
VO = 0.2 V
TA = –25°C
75
°C
10
1
0.1
10
20
30
40
50
25
°C
Figure 11. Input Voltage versus Output Current
0.001
V
CE(sat)
,MA
X
IM
U
M
COLLECT
OR
V
OL
TA
G
E
(V
OL
TS)
25
°C
IC/IB = 10
0.01
0.1
1
40
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
020
60
80
50
010
20
3040
4
3
2
1
0
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
C
ob
,CAP
ACIT
ANCE
(pF
)
VCE = 10 V
f = 1 MHz
IE = 0 V
TA = 25°C
VO = 5 V
TA = –25°C
75
°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN2230T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN2232T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN2236T1G | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN2211T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN2241T1G | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MUN2213 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| MUN2213JT1 | 功能描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242 |
| MUN2213JT1G | 功能描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242 |
| MUN2213RT1 | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistor |
| MUN2213T1 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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