參數(shù)資料
型號： MUN2212T1
廠商： 樂山無線電股份有限公司
英文描述： Bias Resistor Transistor
中文描述： 偏置電阻晶體管
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 263K
代理商： MUN2212T1
7
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN2214T1
10
1
0.10
10
20
30
40
50
100
10
10
2
4
6
8
10
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
2
4
6
8
10
15
20
25
30
35
40
45
50
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
V
I
h
Figure 17. VCE(sat) versus IC
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0
20
40
60
80
VC
Figure 18. DC Current Gain
1
10
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 19. Output Capacitance
Figure 20. Output Current versus Input Voltage
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
C
Figure 21. Input Voltage versus Output Current
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1
0.1
0.01
0.001
–25
°
C
25
°
C
TA= 75
°
C
VCE = 10
300
250
200
150
100
50
0
2
4
6
8
15
20 40
50
60
70
80
90
f = 1 MHz
lE = 0 V
TA = 25
°
C
TA= –25
°
C
25
°
C
75
°
C
IC/IB = 10
75
°
C
25
°
C
TA= –25
°
C
VO = 5 V
VO= 0.2 V
TA= –25
°
C
25
°
C
75
°
C
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MUN2213JT1 功能描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
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