參數(shù)資料
型號(hào)： MUN2212RT1
廠商： 樂山無線電股份有限公司
英文描述： Bias Resistor Transistor
中文描述： 偏置電阻晶體管
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 263K
代理商： MUN2212RT1
3
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Continued)
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Output Voltage (off) (VCC = 5.0 V, VB = 0.5 V, RL = 1.0 k
)
(VCC = 5.0 V, VB = 0.050 V, RL = 1.0 k
) MUN2230T1
(VCC = 5.0 V, VB = 0.25 V, RL = 1.0 k
)
MUN2215T1
MUN2216T1
MUN2233T1
VOH
4.9
—
—
Vdc
Input Resistor
MUN2211T1
MUN2212T1
MUN2213T1
MUN2214T1
MUN2215T1
MUN2216T1
MUN2230T1
MUN2231T1
MUN2232T1
MUN2233T1
MUN2234T1
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
k
Resistor Ratio
MUN2211T1/MUN2212T1/MUN2213T1
MUN2214T1
MUN2215T1/MUN2216T1
MUN2230T1/MUN2231T1/MUN2232T1
MUN2233T1
MUN2234T1
R1/R2
0.8
0.17
—
0.8
0.055
0.38
1.0
0.21
—
1.0
0.1
0.47
1.2
0.25
—
1.2
0.185
0.56
Figure 1. Derating Curve
250
200
150
100
50
0–50
0
TA, AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
50
100
150
P
R
θ
JA = 625
°
C/W
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PDF描述
MUN2212T1 Bias Resistor Transistor
MUN2213RT1 Bias Resistor Transistor
MUN22xxT1 Bias Resistor Transistor
MUN5230T1 FERRITE SNAP-ON CORE 140 OHM WHT
MUN5212DW1T1 Dual Bias Resistor Transistors
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參數(shù)描述
MUN2212T1 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN2212T1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 SS BR XSTR NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN2212T3 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
MUN2213 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
MUN2213JT1 功能描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
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