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參數(shù)資料
| 型號： | MUN2211T1 |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | Bias Resistor Transistor |
| 中文描述： | 偏置電阻晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 8/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 263K |
| 代理商： | MUN2211T1 |
8
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL APPLICATIONS FOR NPN BRTs
LOAD
+12 V
Figure 22. Level Shifter: Connects 12 or 24 Volt Circuits to Logic
IN
OUT
VCC
ISOLATED
LOAD
FROM
μ
P OR
OTHER LOGIC
+12 V
Figure 23. Open Collector Inverter: Inverts the Input Signal
Figure 24. Inexpensive, Unregulated Current Source
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| MUN2211T1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN2211T3 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN2211T3G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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