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參數(shù)資料
| 型號： | MUN2211T1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | CASE 318D-04, SC-59, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/12頁 |
| 文件大小： | 263K |
| 代理商： | MUN2211T1 |
4
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN2211T1
V
I
h
Figure 2. VCE(sat) versus IC
10
0
20
30
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
10
1
0.1
VO = 0.2 V
TA= –25
°
C
75
°
C
25
°
C
40
50
Figure 3. DC Current Gain
Figure 4. Output Capacitance
1
0.1
0.01
0.0010
20
40
60
80
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
1000
100
101
10
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
TA= 75
°
C
25
°
C
–25
°
C
TA= –25
°
C
25
°
C
75
°
C
IC/IB = 10
Figure 5. Output Current versus Input Voltage
75
°
C
25
°
C
TA= –25
°
C
100
10
1
0.1
0.01
0.0010
1
2
3
4
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
5
6
7
8
9
10
Figure 6. Input Voltage versus Output Current
50
0
10
20
30
40
4
3
1
2
0
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
C
VCE = 10 V
f = 1 MHz
IE = 0 V
TA = 25
°
C
VO = 5 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN2211 | NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
| MUN2212 | NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
| MUN2212T1 | NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
| MUN2213 | NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
| MUN22xxT1 | NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MUN2211T1/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Bias Resistor Transistors |
| MUN2211T1_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Bias Resistor Transistors |
| MUN2211T1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN2211T3 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN2211T3G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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