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參數資料
| 型號： | MUN2132T1G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Bias Resistor Transistor |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | LEAD FREE, PLASTIC, CASE 318D-04, SC-59, 3 PIN |
| 文件頁數： | 5/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 236K |
| 代理商： | MUN2132T1G |
5
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN2112T1
V
I
h
Figure 7. VCE(sat) versus IC
Figure 8. DC Current Gain
1000
10
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
10
1
100
TA= 75
°
C
–25
°
C
Figure 9. Output Capacitance
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0
10
20
30
VO = 0.2 V
TA= –25
°
C
75
°
C
100
10
1
0.1
40
50
Figure 10. Output Current versus Input Voltage
100
10
1
0.1
0.01
0.0010
1
2
3
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
4
25
°
C
TA= –25
°
C
5
6
7
8
9
10
Figure 11. Input Voltage versus Output Current
0.01
V
0.1
1
10
40
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0
20
60
80
75
°
C
25
°
C
TA= –25
°
C
50
0
10
20
30
40
4
3
2
1
0
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
C
25
°
C
VCE = 10 V
IC/IB = 10
f = 1 MHz
lE = 0 V
TA = 25
°
C
VO = 5 V
25
°
C
75
°
C
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PDF描述 |
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| MUN2114T1 | PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
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| MUN2116T1 | PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
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參數描述 |
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