參數(shù)資料
型號: MUN2132RT1
廠商: 樂山無線電股份有限公司
英文描述: Bias Resistor Transistor
中文描述: 偏置電阻晶體管
文件頁數(shù): 5/10頁
文件大小: 236K
代理商: MUN2132RT1
5
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN2112T1
V
I
h
Figure 7. VCE(sat) versus IC
Figure 8. DC Current Gain
1000
10
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
10
1
100
TA= 75
°
C
–25
°
C
Figure 9. Output Capacitance
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0
10
20
30
VO = 0.2 V
TA= –25
°
C
75
°
C
100
10
1
0.1
40
50
Figure 10. Output Current versus Input Voltage
100
10
1
0.1
0.01
0.0010
1
2
3
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
4
25
°
C
TA= –25
°
C
5
6
7
8
9
10
Figure 11. Input Voltage versus Output Current
0.01
V
0.1
1
10
40
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0
20
60
80
75
°
C
25
°
C
TA= –25
°
C
50
0
10
20
30
40
4
3
2
1
0
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
C
25
°
C
VCE = 10 V
IC/IB = 10
f = 1 MHz
lE = 0 V
TA = 25
°
C
VO = 5 V
25
°
C
75
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MUN2133RT1 Bias Resistor Transistor
MUN2211T1 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
MUN2231T1 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
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參數(shù)描述
MUN2132T1 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN2132T1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 SS BR XSTR PNP 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN2132T3 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN2132T3G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN2133 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Bias Resistor Transistor PNP Silicon