參數(shù)資料
型號(hào)： MUN2131RT1
廠商： 樂山無線電股份有限公司
英文描述： Bias Resistor Transistor
中文描述： 偏置電阻晶體管
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大?。?/td> 236K
代理商： MUN2131RT1
7
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN2114T1
10
1
0.1
0
10
20
30
40
50
100
10
10
2
4
6
8
10
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
2
4
6
8
10
15
20
25
30
35
40
45
50
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
V
I
Figure 17. VCE(sat) versus IC
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0
20
40
60
80
VC
Figure 18. DC Current Gain
Figure 19. Output Capacitance
Figure 20. Output Current versus Input Voltage
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
C
Figure 21. Input Voltage versus Output Current
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1
0.1
0.01
0.001
f = 1 MHz
lE = 0 V
TA = 25
°
C
LOAD
+12 V
Figure 22. Inexpensive, Unregulated Current Source
Typical Application
for PNP BRTs
TA= –25
°
C
75
°
C
25
°
C
TA= 75
°
C
25
°
C
–25
°
C
VO = 5 V
VO = 0.2 V
TA= –25
°
C
25
°
C
75
°
C
IC/IB= 10
h
1
10
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
–25
°
C
25
°
C
TA= 75
°
C
VCE = 10 V
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
2
4
6
8
15
20
40
50
60
70
80
90
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MUN2131T1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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