參數(shù)資料
型號: MUN2113T1
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
中文描述: 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù): 4/10頁
文件大?。?/td> 236K
代理商: MUN2113T1
4
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN2111T1
V
I
h
Figure 2. VCE(sat) versus IC
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0
TA= –25
°
C
25
°
C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Figure 3. DC Current Gain
Figure 4. Output Capacitance
Figure 5. Output Current versus Input Voltage
Figure 6. Input Voltage versus Output Current
0.01
20
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
0.1
1
0
40
60
80
1000
1
10
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
TA= 75
°
C
100
10
0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.1
1
10
100
10
20
30
40
50
TA= –25
°
C
75
°
C
VO = 0.2 V
75
°
C
IC/IB = 10
50
0
10
20
30
40
4
3
1
2
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
C
0
TA= –25
°
C
25
°
C
75
°
C
25
°
C
VCE = 10 V
VO = 5 V
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
f = 1 MHz
lE = 0 V
TA = 25
°
C
–25
°
C
25
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MUN2132T1 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
MUN2133T1 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
MUN2134T1 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
MUN2130RT1 Bias Resistor Transistor
MUN2111RT1 Bias Resistor Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MUN2113T1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 SS BR XSTR PNP 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN2113T3 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-59
MUN2114 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Bias Resistor Transistor PNP Silicon
MUN2114RT1 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistor
MUN2114T1 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel