參數(shù)資料
型號(hào)： MUN2113RT1
廠商： 樂(lè)山無(wú)線(xiàn)電股份有限公司
英文描述： Bias Resistor Transistor
中文描述： 偏置電阻晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
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代理商： MUN2113RT1
6
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN2113T1
V
I
h
Figure 12. VCE(sat) versus IC
1000
100
101
10
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
TA= 75
°
C
25
°
C
–25
°
C
Figure 13. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1
0.1
0.010
10
20
30
40
IC/IB= 10
VC
Figure 14. Output Capacitance
Figure 15. Output Current versus Input Voltage
100
10
1
0.1
0.01
0.0010
10
25
°
C
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
–25
°
C
50
0
10
20
30
40
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Figure 16. Input Voltage versus Output Current
100
10
1
0.10
10
20
30
40
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
TA= –25
°
C
25
°
C
75
°
C
50
TA= –25
°
C
75
°
C
25
°
C
f = 1 MHz
lE = 0 V
TA = 25
°
C
VO = 5 V
TA= 75
°
C
VO = 0.2 V
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PDF描述
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MUN2113T1G 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 SS BR XSTR PNP 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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