參數資料
型號: MUN2111T3
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: CASE 318D-03, SC-59, 3 PIN
文件頁數: 3/9頁
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代理商: MUN2111T3
相關PDF資料
PDF描述
MUN2112T3 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MUN2211T3 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MUN2212T3 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MUR1010CT-BP 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
MUR1020CT-BP 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
相關代理商/技術參數
參數描述
MUN2111T3G 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN2112 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Bias Resistor Transistor PNP Silicon
MUN2112RT1 制造商:ETL 制造商全稱:E-Tech Electronics LTD 功能描述:Bias Resistor Transistor
MUN2112T1 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN2112T1G 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 SS BR XSTR PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel