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參數(shù)資料
| 型號： | MTY14N100E |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TMOS POWER FET 14 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 0.80 OHM |
| 中文描述： | 14 A, 1000 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
| 封裝： | TO-264, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 232K |
| 代理商： | MTY14N100E |
6
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
SAFE OPERATING AREA
1
0.1
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t, TIME (SECONDS)
D = 0.5
0.2
r
(
0.1
0.05
0.02
0.01
1000
800
600
400
200
0
25
50
75
100
125
150
100
10
1
0.1
0.01
0.1
1
10
100
1000
100
μ
s
10
μ
s
1 ms
10 ms
dc
TJ, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
EA
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
A
I
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
Figure 13. Thermal Response
R
θ
JC(t) = r(t) R
θ
JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) R
θ
JC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
VGS = 20 V
SINGLE PULSE
TC = 25
°
C
ID = 14 A
SINGLE PULSE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTY14N100 | TMOS POWER FET 14 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 0.80 OHM |
| MTY25N60E | TMOS POWER FET 25 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 0.21 OHM |
| MTY30N50 | TMOS POWER FET 30 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 0.15 OHM |
| MTY30N50E | TMOS POWER FET 30 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 0.15 OHM |
| MTY55N20E | TMOS POWER FET 55 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.028 OHM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MTY160A | 制造商:LIUJING 制造商全稱:LIUJING 功能描述:可控硅、晶閘管 |
| MTY16N80E | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 16 AMPERES 800 VOLTS RDS(on) = 0.50 OHM |
| MTY200A | 制造商:LIUJING 制造商全稱:LIUJING 功能描述:可控硅、晶閘管 |
| MTY250A | 制造商:LIUJING 制造商全稱:LIUJING 功能描述:可控硅、晶閘管 |
| MTY25N60E | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
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