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參數(shù)資料
| 型號： | MTP50N05E |
| 廠商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 50 A, 50 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220 |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 179K |
| 代理商： | MTP50N05E |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTP15N05E | 15 A, 50 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220 |
| MTP3055E | 12 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220 |
| MTP30N06EL | 26 A, 60 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220 |
| MTP15N06E | 15 A, 60 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220 |
| MTP52N06VLG | 52 A, 60 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MTP50N05EW | 制造商:Motorola Inc 功能描述:50 A, 50 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| MTP50N06 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 42 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.032 OHM |
| MTP50N06EL | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MTP50N06V | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| MTP50N06V_L86Z | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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