型號: | MTP20N06 |
廠商: | Motorola, Inc. |
英文描述: | TMOS POWER FET 20 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.080 OHM |
中文描述: | TMOS是功率場效應(yīng)晶體管60伏20安培的RDS(on)\u003d 0.080歐姆 |
文件頁數(shù): | 1/6頁 |
文件大?。?/td> | 180K |
代理商: | MTP20N06 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MTP20N06V | TMOS POWER FET 20 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.080 OHM |
MTP20N20E | TMOS POWER FET 20 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.16 OHM |
MTP20N08 | N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V |
MTP2955V | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
MTP2N35 | N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MTP20N06V | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
MTP20N08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V |
MTP20N10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V |
MTP20N15E | 功能描述:MOSFET 150V 20A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
MTP20N15EG | 功能描述:MOSFET NFET T0220 150V 20A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |