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參數(shù)資料
| 型號： | MTM6N100E |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 6 A, 1000 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 21K |
| 代理商： | MTM6N100E |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTM15624 | 2100 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MTM15N40 | 15 A, 400 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE |
| MTM15N35 | 15 A, 350 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE |
| MTM1N95 | 1 A, 950 V, 10 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
| MTP1N100 | 1 A, 1000 V, 10 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MTM6N55 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:Power Field Effect Transistor |
| MTM761100LBF | 功能描述:MOSFET PCH MOS FET FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| MTM76111 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:VIN = 2.9V to 5.5V 2ch,0.8A General-purpose High Efficiency Power LSI |
| MTM761110LBF | 功能描述:MOSFET PCH MOS FET FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| MTM761230LBF | 功能描述:MOSFET PCH MOS FET FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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