參數(shù)資料
型號： MTD3055EL
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： JFETs
英文描述： TMOS IV Power Field Effect Transistor(N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate)
中文描述： 12 A, 60 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 179K
代理商： MTD3055EL
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
MTD3055VL TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.18 OHM
MTD3055V N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
MTD3055V1 Power MOSFET 12Amps, 60 Volts
MTD3055V Power MOSFET 12Amps, 60 Volts
MTD3055VT4 Power MOSFET 12Amps, 60 Volts
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MTD3055V 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET
MTD3055V1 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
MTD3055VL 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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