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參數(shù)資料
| 型號： | MTD2955-1 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 12 A, 60 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 42K |
| 代理商： | MTD2955-1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTD9N10E-1 | 9 A, 100 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| MTD5N05T4 | 5 A, 50 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| MTD5N06T4 | 5 A, 60 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| MTD6N10-1 | 6 A, 100 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| MTP10N10M | 10 A, 100 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MTD2955E | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.3 OHM |
| MTD2955ET4 | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
| MTD2955V | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| MTD2955V1 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail |
| MTD2955V-1 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 12A, 60V P-Channel DPAK |
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