參數(shù)資料
型號(hào)： MTB33N10ET4
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 33 A, 100 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 418B-03, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大小： 262K
代理商： MTB33N10ET4
MTB33N10E
http://onsemi.com
6
SAFE OPERATING AREA
0
25
50
75
100
125
250
150
50
350
150
550
TJ, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (°C)
E AS
,SINGLE
PULSE
DRAINT
OSOURCE
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
0.1
100
VDS, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
1.0
10
1000
AV
ALANCHE
ENERGY
(mJ)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
0.01
10
ID = 33 A
0.1
1.0
t, TIME (ms)
Figure 13. Thermal Response
r(t)
,NORMALIZED
EFFECTIVE
TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
RθJC(t) = r(t) RθJC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) TC = P(pk) RθJC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
25
50
75
100
125
150
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
P
D
,POWER
DISSIP
ATION
(W
ATTS)
Figure 15. D2PAK Power Derating Curve
RθJA = 50°C/W
Board material = 0.065 mil FR4
Mounted on the minimum recommended footprint
Collector/Drain Pad Size ≈ 450 mils x 350 mils
VGS = 20 V
SINGLE PULSE
TC = 25°C
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
D = 0.5
1.0E05
1.0E04
1.0E02
0.1
1.0
0.01
1.0E03
1.0E01
1.0E+01
1.0E+00
100
200
300
500
dc
1ms
10ms
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
100 μs
450
400
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MTB35N06ZL 35 A, 60 V, 0.026 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTB35N06ZLT4 35 A, 60 V, 0.026 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTB36N06VT4 32 A, 60 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTB36N06VT4 32 A, 60 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTB3N100E 3 A, 1000 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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MTB36N06VT4 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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MTB3N120ET4 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
MTB3N60E 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
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