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參數(shù)資料
| 型號： | MT58L128L32P1 |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 128K x 32，Pipelined, SCD SyncBurst SRAM(4Mb，流水線式，單循環(huán)取消選擇，同步脈沖靜態(tài)存儲器) |
| 中文描述： | 128K的× 32，流水線，SCD的SyncBurst的SRAM（4MB，在流水線式，單循環(huán)取消選擇，同步脈沖靜態(tài)存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 18/28頁 |
| 文件大小： | 445K |
| 代理商： | MT58L128L32P1 |
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18
4Mb: 256K x 18, 128K x 32/36 Pipelined, SCD SyncBurst SRAM
MT58L256L18P1_2.p65 – Rev. 8/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
4Mb: 256K x 18, 128K x 32/36
PIPELINED, SCD SYNCBURST SRAM
PRELIMINARY
Q
50
V = 1.5V
Z = 50
Figure 1
Q
351
317
5pF
+3.3V
Figure 2
LOAD DERATING CURVES
Micron 256K x 18, 128K x 32, and 128K x 36
SyncBurst SRAM timing is dependent upon the capaci-
tive loading on the outputs.
Consult the factory for copies of I/O current versus
voltage curves.
3.3V I/O AC TEST CONDITIONS
Input pulse levels ................. V
IH
= (V
DD
/2.2) + 1.5V
....................V
IL
= (V
DD
/2.2) - 1.5V
Input rise and fall times..................................... 1ns
Input timing reference levels..................... V
DD
/2.2
Output reference levels ............................V
DD
Q/2.2
Output load ............................. See Figures 1 and 2
Q
50
V = 1.25V
Z = 50
Figure 3
Q
225
225
5pF
+2.5V
Figure 4
2.5V I/O AC TEST CONDITIONS
Input pulse levels ............. V
IH
= (V
DD
/2.64) + 1.25V
................V
IL
= (V
DD
/2.64) - 1.25V
Input rise and fall times..................................... 1ns
Input timing reference levels................... V
DD
/2.64
Output reference levels ...............................V
DD
Q/2
Output load ............................. See Figures 3 and 4
3.3V I/O Output Load Equivalents
2.5V I/O Output Load Equivalents
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT58L128L36P1 | 128K x 36，Pipelined, SCD SyncBurst SRAM(4Mb，流水線式，單循環(huán)取消選擇，同步脈沖靜態(tài)存儲器) |
| MT58L128V32P1 | 128K x 32， Pipelined, SCD SyncBurst SRAM(4Mb，流水線式，單循環(huán)取消選擇，同步脈沖靜態(tài)存儲器) |
| MT58L256L18P1 | 256K x 18,Pipelined, SCD SyncBurst SRAM(4Mb，流水線式，單循環(huán)取消選擇，同步脈沖靜態(tài)存儲器) |
| MT58L256V18P1 | 256K x 18，Pipelined, SCD SyncBurst SRAM(4Mb，流水線式，單循環(huán)取消選擇，同步脈沖靜態(tài)存儲器) |
| MT5C128K8A1513A | S13A 1 MEG SRAM DIE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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