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參數(shù)資料
| 型號： | MT4LC8M8P4TG-5 |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | DRAM |
| 中文描述： | 內存 |
| 文件頁數(shù)： | 2/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 382K |
| 代理商： | MT4LC8M8P4TG-5 |
2
8 Meg x 8 FPM DRAM
D19_2.p65
–
Rev. 5/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
8 MEG x 8
FPM DRAM
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
MT4LC8M8E1 (13 row addresses)
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
MT4LC8M8B6 (12 row addresses)
A0-
A12
RAS#
13
13
10
NO. 2 CLOCK
GENERATOR
REFRESH
CONTROLLER
NO. 1 CLOCK
GENERATOR
V
DD
V
SS
13
WE#
CAS#
10
CONTROL
LOGIC
COLUMN-
ADDRESS
BUFFER(10)
ROW-
ADDRESS
BUFFERS (13)
8,192
1,024
COLUMN
DECODER
OE#
DQ0-
DQ7
8
8
8
8
REFRESH
COUNTER
R
R
D
SENSE AMPLIFIERS
I/O GATING
DATA-OUT
BUFFER
DATA-IN
BUFFER
8,192 x 1,024 x 8
MEMORY
ARRAY
C
S
1,024 x 8
8,192 x 8
A0-
A11
RAS#
12
12
11
NO. 2 CLOCK
GENERATOR
REFRESH
CONTROLLER
NO. 1 CLOCK
GENERATOR
V
DD
V
SS
12
WE#
CAS#
11
CONTROL
LOGIC
COLUMN-
ADDRESS
BUFFER(11)
ROW-
ADDRESS
BUFFERS (12)
4,096
2,048
COLUMN
DECODER
OE#
DQ0-
DQ7
8
8
8
8
REFRESH
COUNTER
R
R
D
SENSE AMPLIFIERS
I/O GATING
DATA-OUT
BUFFER
DATA-IN
BUFFER
4,096 x 2,048 x 8
MEMORY
ARRAY
C
S
2,048 x 8
4,096 x 8
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT4LC8M8P4TG-6 | DRAM |
| MT4LDT464AG | 4 Meg x 64 Nonbuffered DRAM DIMMs(4 M x 64無緩沖動態(tài)RAM雙列直插存儲器模塊) |
| MT54V512H18A | 512K x 18 Synchronous Pipelined Burst SRAM(9Mb，流水線式，同步脈沖靜態(tài)存儲器) |
| MT54V512H18E | 512K x 18 Synchronous Pipelined Burst SRAM(9Mb，流水線式，同步脈沖靜態(tài)存儲器) |
| MT55L1MY18P | 16Mb: 1 Meg x 18, Flow-Through ZBT SRAM(16Mb流通式同步靜態(tài)存儲器) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT4LC8M8P4TG-6 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DRAM |
| MT4LCM16E5DJ-6 | 制造商:. 功能描述: |
| MT4LD164AG-52B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 Burst EDO Page Mode DRAM Module |
| MT4LD164AG-60B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 Burst EDO Page Mode DRAM Module |
| MT4LD164AG-7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 Fast Page Mode DRAM Module |
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