參數(shù)資料
型號(hào): MT4LC1M16E5
廠商: Micron Technology, Inc.
英文描述: EDO DRAM
中文描述: EDO公司的DRAM
文件頁(yè)數(shù): 13/24頁(yè)
文件大小: 385K
代理商: MT4LC1M16E5
13
1 Meg x 16 EDO DRAM
D52_B.p65 – Rev. B; Pub. 3/01
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2001, Micron Technology, Inc
16Mb: 1 MEG x16
EDO DRAM
EARLY WRITE CYCLE
DON’T CARE
UNDEFINED
V
IL
VALID DATA
ROW
COLUMN
ROW
tDS
tWP
tWCH
tWCS
tWCR
tRWL
tCWL
tCAH
tASC
tRAH
tASR
tRAD
tAR
tCAS
tRSH
tCSH
tRCD
tCRP
tRAS
tRC
tRP
V
IL
ADDR
V
IL
V
IL
DQ
V
IOL
V
IL
RAS#
OE#
tDH
tCLCH
WE#
CASL#/CASH#
tACH
TIMING PARAMETERS
-5
-6
SYMBOL
t
ACH
t
AR
t
ASC
t
ASR
t
CAH
t
CAS
t
CLCH
t
CRP
t
CSH
t
CWL
t
DH
t
DS
MIN
12
38
0
0
8
8
5
5
38
8
8
0
MAX
MIN
15
45
0
0
10
10
5
5
45
10
10
0
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10,000
10,000
-5
-6
SYMBOL
t
RAD
t
RAH
t
RAS
t
RC
t
RCD
t
RP
t
RSH
t
RWL
t
WCH
t
WCR
t
WCS
t
WP
MIN
9
9
50
84
11
30
13
13
8
38
0
5
MAX
MIN
12
10
60
104
14
40
15
15
10
45
0
5
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10,000
10,000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MT4C4256 256K x 4 DRAM Standard Or Low Power, Extended Refresh(標(biāo)準(zhǔn)或低功率,擴(kuò)展刷新,256K x 4動(dòng)態(tài)RAM)
MT4C4256L 256K x 4 DRAM Standard Or Low Power, Extended Refresh(標(biāo)準(zhǔn)或低功率,擴(kuò)展刷新,256K x 4動(dòng)態(tài)RAM)
MT4LC16M4T8TG-5 DRAM
MT4LC16M4T8TG-5S DRAM
MT4LC16M4T8TG-6 DRAM
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參數(shù)描述
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