參數(shù)資料
型號(hào)： MT4C4256L
廠商： Micron Technology, Inc.
英文描述： 256K x 4 DRAM Standard Or Low Power, Extended Refresh(標(biāo)準(zhǔn)或低功率，擴(kuò)展刷新，256K x 4動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 256K × 4的DRAM標(biāo)準(zhǔn)或低功耗，延長(zhǎng)刷新（標(biāo)準(zhǔn)或低功率，擴(kuò)展刷新，256K × 4動(dòng)態(tài)內(nèi)存）
文件頁(yè)數(shù)： 11/15頁(yè)
文件大小： 240K
代理商： MT4C4256L
MT4C4256(L)
REV. 4/94
Micron Semiconductor, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
1994, Micron Semiconductor, Inc.
11
MT4C4256(L)
256K x 4 DRAM
OBSOLETE
NOTE:
1. Do not drive data prior to tristate:
t
CPP(MIN) or
t
CP(whichever is greater) +
t
DS(MIN) + any guardband
between data-out and driving the bus with the new data-in.
ROW
V
IL
CAS
V
IL
ADDR
V
IL
RAS
tRC
tRAS
tRP
tCRP
tASR
tRAH
ROW
OPEN
DQ
V
OL
tRPC
//
R
A
//
S ONLY REFRESH CYCLE
(ADDR = A0-A8;
W
/
E = DON’T CARE)
FAST-PAGE-MODE READ-EARLY-WRITE CYCLE
(Pseudo READ-MODIFY-WRITE)
ROW
DATA
VALID DATA
OPEN
OPEN
tCRP
tRCD
tCAS
tRSH
tRASP
tRP
tPC
tASC
tCAH
tAR
tASR
tRAD
tRAH
tWCS
tWP
tWCH
tRWL
tRCS
tDH
tDS
tCAC
tOFF
V
IL
CAS
V
IL
ADDR
V
IL
RAS
D
V
IL
Q
V
OL
WE
V
IL
tCSH
COLUMN
tCPP
tCPN
tASC
tCAH
tRAL
tCWL
tCLZ
tAA
RAC
DON’T CARE
UNDEFINED
t
NOTE 1
OE
V
IL
ROW
COLUMN
tCAS
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