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參數(shù)資料
| 型號： | MT48LC4M32LFB5-10ES:G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA90 |
| 封裝： | 8 X 13 MM, LEAD FREE, VFBGA-90 |
| 文件頁數(shù)： | 53/69頁 |
| 文件大小： | 6213K |
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128Mb: x16, x32
MOBILE SDRAM
09005aef8071a76b
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
128Mbx16x32Mobile_2.fm - Rev. G (DRAFT) 7/04 EN
57
2001 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Figure 44: Alternating Bank Read Accesses
NOTE:
1. For this example, the burst length = 4, the CAS latency = 2.
2. x16:A9 and A11 = “Don’t Care”
x32:A8, A9,and A11 = “Don’t Care.”
ENABLE AUTO PRECHARGE
tCH
tCL
tAC
tLZ
DQMU, DQML
CLK
A0-A9, A11
DQ
BA0, BA1
A10
tOH
DOUT m
tCMH
tCMS
tAH
tAS
tAH
tAS
tAH
tAS
ROW
tOH
DOUT m + 3
tAC
tOH
tAC
tOH
tAC
DOUT m + 2
DOUT m + 1
COMMAND
tCMH
tCMS
NOP
ACTIVE
NOP
READ
NOP
ACTIVE
tOH
DOUT b
tAC
READ
ENABLE AUTO PRECHARGE
ROW
ACTIVE
ROW
BANK 0
BANK 3
BANK 0
CKE
tCKH
tCKS
COLUMN m 2
COLUMN b 2
T0
T1
T2
T4
T3
T5
T6
T7
T8
tRP - BANK 0
tRAS - BANK 0
tRCD - BANK 0
CAS Latency - BANK 0
tRCD - BANK 3
CAS Latency - BANK 3
t
RC - BANK 0
RRD
tCK
DON’T CARE
UNDEFINED
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT48V4M32TG-8XT | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
| MT48LC8M8A2TG-8EL:GIT | 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| MT4JSF6464HIY-80BXX | 64M X 64 DDR DRAM MODULE, ZMA204 |
| MT4JSF6464HY-1G4XX | 64M X 64 DDR DRAM MODULE, ZMA204 |
| MT4LC16M4A7DJ-6S | 16M X 4 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO32 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|
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