參數(shù)資料
型號(hào)： MSM5118165DSL
廠商： OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD.
英文描述： 1,048,576-Word x 16-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO
中文描述： 1,048,576字× 16位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器：快速頁(yè)面模式型與江戶
文件頁(yè)數(shù)： 5/18頁(yè)
文件大小： 285K
代理商： MSM5118165DSL
5/17
Semiconductor
MSM5118165D/DSL
DC Characteristics
Parameter
Symbol
Condition
MSM5118165
D/DSL-50
MSM5118165
D/DSL-60
MSM5118165
D/DSL-70
(V
CC
= 5 V ±10%, Ta = 0°C to 70°C)
I
OH
= –5.0 mA
I
OL
= 4.2 mA
0 V
￡
V
I
￡
6.5 V;
All other pins not
under test = 0 V
DQ disable
0 V
￡
V
O
￡
V
CC
Output High Voltage
Output Low Voltage
Input Leakage Current
Output Leakage Current
RAS
,
CAS
cycling,
t
RC
= Min.
Average Power
Supply Current
(Operating)
RAS
,
CAS
= V
IH
RAS
,
CAS
≥
V
CC
–0.2 V
Power Supply
Current (Standby)
RAS
cycling,
CAS
= V
IH
,
t
RC
= Min.
RAS
= V
IH
,
CAS
= V
IL
,
DQ = enable
Average Power
Supply Current
(
RAS
-only Refresh)
Power Supply
Current (Standby)
Average Power
Supply Current
(
CAS
before
RAS
Refresh)
Average Power
Supply Current
(Fast Page Mode)
CAS
before
RAS
Average Power
Supply Current
(
CAS
before
RAS
Self-Refresh)
RAS
￡
0.2 V,
CAS
￡
0.2 V
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC5
I
CC6
I
CCS
Min.
2.4
0
Max.
V
CC
0.4
Min.
2.4
0
Max.
V
CC
0.4
Min.
2.4
0
Max.
V
CC
0.4
Unit Note
RAS
cycling,
–10
–10
—
—
—
—
—
—
—
—
10
10
135
2
1
135
135
300
5
–10
–10
—
—
—
—
—
—
—
—
10
10
125
2
1
125
125
300
5
–10
–10
—
—
—
—
—
—
—
—
10
10
115
2
1
115
115
300
5
200
200
200
V
V
m
A
m
A
mA
mA
mA
mA
m
A
mA
1, 2
1, 2
1, 2
1, 5
1
1
m
A
1, 5
t
RC
= 125
m
s,
CAS
before
RAS
,
t
RAS
￡
1
m
s
Average Power
Supply Current
(Battery Backup)
I
CC10
—
300
—
300
—
300
m
A
1, 4,
5
RAS
= V
IL
,
CAS
cycling,
t
HPC
= Min.
I
CC7
—
135
—
125
—
115
mA
1, 3
Notes :
1. I
CC
Max. is specified as I
CC
for output open condition.
2. The address can be changed once or less while
RAS
= V
IL
.
3. The address can be changed once or less while
CAS
= V
IH
.
4. V
CC
– 0.2 V
￡
V
IH
￡
V
CC
+ 0.5 V, –0.5 V
￡
V
IL
￡
0.2 V.
5. SL version.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MSM5118165F 1,048,576-Word 】 16-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO
MSM512100L-XXSJ 2,097,152-Word X 1-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE
MSM512100-XXSJ 2,097,152-Word X 1-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE
MSM512100-60SJ 2,097,152-Word X 1-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE
MSM512100-70SJ 2,097,152-Word X 1-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE
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參數(shù)描述
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MSM5118165F-50T3-K-7 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
MSM5118165F-50TSKR1 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
MSM5118165F-60J3 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
MSM5118165F-60J3-7 功能描述:IC DRAM 16MBIT 60NS 42SOJ RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤
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