參數(shù)資料
型號(hào)： MSM5117405F
廠商： OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD.
英文描述： 4,194,304-Word 】 4-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO
中文描述： 4194304詞】4位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器：快速頁(yè)面模式型與江戶
文件頁(yè)數(shù)： 1/17頁(yè)
文件大小： 220K
代理商： MSM5117405F
FEDD5117405F-01
1
Semiconductor
MSM5117405F
This version: June. 2000
Previous version :
4,194,304-Word
×
4-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO
1/17
DESCRIPTION
The MSM5117405F is a 4,194,304-word
×
4-bit dynamic RAM fabricated in Oki’s silicon-gate CMOS
technology. The MSM5117405F achieves high integration, high-speed operation, and low-power
consumption because Oki manufactures the device in a quadruple-layer polysilicon/double-layer metal
CMOS process. The MSM5117405F is available in a 26/24-pin plastic SOJ or 26/24-pin plastic TSOP.
FEATURES
4,194,304-word
×
4-bit configuration
Single 5V power supply,
±
10% tolerance
Input
: TTL compatible, low input capacitance
Output : TTL compatible, 3-state
Refresh : 2048 cycles/32ms
Fast page mode with EDO, read modify write capability
CAS
before
RAS
refresh, hidden refresh,
RAS
-only refresh capability
Packages
26/24-pin 300mil plastic SOJ
26/24-pin 300mil plastic TSOP
(
TSOPII26/24-P-300-0.80-K
)
(
SOJ26/24-P-300-1.27
)
(Product : MSM5117405F-xxSJ)
(Product : MSM5117405F-xxTS-K)
xx indicates speed rank.
PRODUCT FAMILY
Access Time (Max.)
Power Dissipation
Operating
(Max.)
550mW
495mW
440mW
Family
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
Cycle Time
(Min.)
Standby
(Max.)
50ns
60ns
70ns
25ns
30ns
35ns
13ns
15ns
20ns
13ns
15ns
20ns
84ns
104ns
124ns
MSM5117405F
5.5mW
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PDF描述
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MSM5117800D 2,097,152-Word x 8-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE
MSM5117805A 2,097,152-Word x 8-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO
MSM5117805B 2097152-word*8-bit dynamic ram：FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO
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