參數(shù)資料
型號： MSD75-08
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： 橋式整流
英文描述： 3 PHASE, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
封裝： CASE M2, 5 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 147K
代理商： MSD75-08
MSD75
MSD75-Rev 1
www.microsemi.com
Dec, 2009
1/4
Module Type
TYPE
VRRM
VRSM
MSD75 – 08
MSD75 – 12
MSD75 – 16
MSD75 – 18
800V
1200V
1600V
1800V
900V
1300V
1700V
1900V
Maximum Ratings
Symbol
Conditions
Values
Units
ID
Tc=110
℃
75
A
IFSM
T=10mS Tvj =45
℃
750
A
i
2t
T=10mS Tvj =45
℃
2800
A
2s
Visol
a.c.50Hz;r.m.s.;1min
3000
V
Tvj
-40 to 150
℃
Tstg
-40 to 125
℃
Mt
To terminals(M5)
5±15%
Nm
Ms
To heatsink(M5)
5±15%
Nm
Weight
Module
135
g
Thermal Characteristics
Symbol
Conditions
Values
Units
Rth(j-c)
Per diode
1.1
℃/W
Rth(c-s)
Module
0.07
℃/W
Electrical Characteristics
Circuit
Glass Passivated Three
Phase Rectifier Bridge
VRRM 800 to 1800V
ID
75 Amp
Features
Three phase bridge rectifier
Blocking voltage: 800 to 1800V
Heat transfer through aluminum oxide DCB
ceramic isolated metal baseplate
Glass passivated chip
Applications
Three phase rectifiers for power supplies
Rectifiers for DC motor field supplies
Battery charger rectifiers
Input rectifiers for variable frequency drives
-
+
~
MSD
Symbol
Conditions
Values
Units
VFM
T=25
℃ IFM =150A
1.6
V
IRD
Tvj =25
℃ VRD=VRRM
Tvj =150
℃ VRD=VRRM
≤0.3
≤5
mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MSE1PGHM3/89A 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE
MSE1PBHM3/89A 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
MSICSN10120CC 10 A, 1200 V, SILICON CARBIDE, RECTIFIER DIODE, TO-257AA
MSKD60-12 60 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
MSKM-723-44 SILICON, MEDIUM BARRIER SCHOTTKY, S BAND, MIXER DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MSD75RM124S1 制造商:SOURIAU 功能描述:
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