參數(shù)資料
型號： MSD6100
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Dual Switching Diode Common Cathode
中文描述： 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-226AA
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 64K
代理商： MSD6100
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Motorola, Inc. 1997
MAXIMUM RATINGS (EACH DIODE)
Rating
Symbol
Value
Unit
Reverse Voltage
VR
IF
100
Vdc
Recurrent Peak Forward Current
200
mAdc
Peak Forward Surge Current
(Pulse Width = 10
μ
sec)
IFM(surge)
500
mAdc
Power Dissipation @ TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD(1)
625
5.0
mW
mW/
°
C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg(1)
–55 to +135
°
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
(EACH DIODE)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Breakdown Voltage
(I(BR) = 100
μ
Adc)
V(BR)
100
—
Vdc
Reverse Current
(VR = 100 Vdc)
(VR = 50 Vdc)
(VR = 50 Vdc, TA = 125
°
C)
Forward Voltage
(IF = 1.0 mAdc)
(IF = 10 mAdc)
(IF = 100 mAdc)
Capacitance
(VR = 0)
IR
—
—
—
5.0
0.1
50
μ
Adc
VF
0.55
0.67
0.75
0.7
0.82
1.1
Vdc
C
—
1.5
pF
Reverse Recovery Time
(IF = IR = 10 mAdc, VR = 5.0 Vdc, irr = 1.0 mAdc)
trr
—
4.0
ns
1. Continuous package improvements have enhanced these guaranteed Maximum Ratings as follows: PD = 1.0 W @ TC = 25
°
C,
Derate above 25
°
C
8.0 mW/
°
C, TJ = –65 to +150
°
C,
θ
JC = 125
°
C/W.
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by MSD6100/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
CASE 29–04, STYLE 3
TO–92 (TO–226AA)
1
23
3 Cathode
Anode 1
2 Anode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MSD6100 Dual Switching Diode Common Cathode
MTB23P06 TMOS POWER FET 23 AMPERES 60 VOLTS
MTB23P06E TMOS POWER FET 23 AMPERES 60 VOLTS
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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