| 型號: | MSD160-16 |
| 廠商: | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類: | 橋式整流 |
| 英文描述: | 3 PHASE, 1600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 封裝: | CASE M3, 5 PIN |
| 文件頁數(shù): | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 152K |
| 代理商: | MSD160-16 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MSD200-18 | 3 PHASE, 1800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| MSD30-18 | 3 PHASE, 1800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| MSD50-08 | 3 PHASE, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| MSD50-12 | 3 PHASE, 1200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| MSD50-18 | 3 PHASE, 1800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MSD160-18 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - DIODE - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD BRIDGE 3PH 1800V 160A M3 |
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| MSD1819A-RT1_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Amplifier Transistor |
| MSD1819A-RT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |