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參數(shù)資料
| 型號： | MSD130-18 |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | 橋式整流 |
| 英文描述： | 3 PHASE, 1800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | CASE M3, 5 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 152K |
| 代理商： | MSD130-18 |
MSD130
MSD130-Rev 1
www.microsemi.com
Dec, 2009
1/3
Module Type
TYPE
VRRM
VRSM
MSD130 – 08
MSD130 – 12
MSD130 – 16
MSD130 – 18
800V
1200V
1600V
1800V
900V
1300V
1700V
1900V
Maximum Ratings
Symbol
Conditions
Values
Units
ID
Tc=100
℃
130
A
IFSM
t=10mS Tvj =45
℃
1200
A
i
2t
t=10mS Tvj =45
℃
7200
A
2s
Visol
a.c.50Hz;r.m.s.;1min
3000
V
Tvj
-40 to 150
℃
Tstg
-40 to 125
℃
Mt
To terminals(M6)
5±15%
Nm
Ms
To heatsink(M6)
5±15%
Nm
Weight
Module
230
g
Thermal Characteristics
Symbol
Conditions
Values
Units
Rth(j-c)
Per diode
0.9
℃/W
Rth(c-s)
Module
0.03
℃/W
Electrical Characteristics
Circuit
Glass Passivated Three
Phase Rectifier Bridge
VRRM 800 to 1800V
ID
130 Amp
Features
Three phase bridge rectifier
Blocking voltage:
800 to 1800V
Heat transfer through aluminum oxide DCB
ceramic isolated metal baseplate
Glass passivated chip
Applications
Three phase rectifiers for power supplies
Rectifiers for DC motor field supplies
Battery charger rectifiers
Input rectifiers for variable frequency drives
-
+
~
MSD
Symbol
Conditions
Values
Units
VFM
T=25
℃ IFM =300A
1.8
V
IRD
Tvj =25
℃ VRD=VRRM
Tvj =150
℃ VRD=VRRM
≤0.3
≤5
mA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MSD130-16 | 3 PHASE, 1600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| MSD160-16 | 3 PHASE, 1600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| MSD200-18 | 3 PHASE, 1800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| MSD30-18 | 3 PHASE, 1800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| MSD50-08 | 3 PHASE, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MSD1328 | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:NPN Low Voltage Output Amplifiers |
| MSD1328RT1 | 制造商:Motorola Inc 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, SOT-23VAR |
| MSD1328-RT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 25V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MSD1328-RT1_04 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:NPN Low Voltage Output Amplifiers |
| MSD1328-RT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 25V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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