參數(shù)資料
型號： MSC81035MP
廠商： 意法半導體
英文描述： RF & Microwave Transistors L-Band Avionics Applications(用于L波段航空電子的RF和微波晶體管)
中文描述： 射頻
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 56K
代理商： MSC81035MP
October 1992
AVIONICS APPLICATIONS
RF & MICROWAVE TRANSISTORS
.280 4LSL (S051)
epoxy sealed
.
REFRACTORY/GOLD METALLIZATION
.
EMITTER SITE BALLASTED
.
∞
:1 VSWR CAPABILITY
.
LOW THERMAL RESISTANCE
.
INPUT MATCHING
.
OVERLAY GEOMETRY
.
METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE
.
P
OUT
=
35 W MIN. WITH 10.7 dB GAIN
DESCRIPTION
The MSC81035MP is a medium power Class C
transistor designed specifically for pulsed L-Band
avionics applications. This device is a direct re-
placement for the MSC1035MP. MSC81035MP of-
fers improved saturated ouput power and collector
efficiency based on the test circuit described
herein.
Low RFthermal resistance and computerized auto-
matic wire bonding techniques ensure high relia-
bility and product consistency.
The MSC81035MP ishoused inthe IMPAC
pack-
age with internal input matching.
PIN CONNECTION
BRANDING
81035MP
ORDER CODE
MSC81035MP
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
=
25
°
C)
Symbol
P
DISS
Parameter
(T
C
≤
100
°
C)
Value
150
Unit
W
Power Dissipation*
I
C
Device Current*
Collector-Supply Voltage*
3.0
55
A
V
°
C
°
C
V
CC
T
J
T
STG
Junction Temperature (Pulsed RF Operation)
Storage Temperature
250
65 to +150
R
TH(j-c)
Junction-Case Thermal Resistance*
1.0
°
C/W
*Appliesonlyto ratedRF amplifier operation
Note:
Thermal Resistance determined byInfra-Red Scanning of Hot-Spot
Junction Temperature at ratedRF operating conditions.
MSC81035MP
1. Collector
2. Base
3. Emitter
4. Base
THERMAL DATA
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PDF描述
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