參數(shù)資料
型號： MRFG35003MT1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
封裝： PLASTIC, CASE 466-03, PLD-1.5, 4 PIN
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大?。?/td> 126K
代理商： MRFG35003MT1
AR
C
HIVE
INF
O
RMA
TI
O
N
ARCHIVE
INFORMA
TION
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35003MT1
Table 4. Electrical Characteristics (TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Saturated Drain Current
(VDS = 3.5 Vdc, VGS = 0 Vdc)
IDSS
—
1.3
—
Adc
Off State Leakage Current
(VGS = -0.4 Vdc, VDS = 0 Vdc)
IGSS
—
< 1.0
100
Adc
Off State Drain Current
(VDS = 12 Vdc, VGS = -2.5 Vdc)
IDSO
—
450
Adc
Off State Current
(VDS = 28.5 Vdc, VGS = -2.5 Vdc)
IDSX
—
< 1.0
7
mAdc
Gate-Source Cut-off Voltage
(VDS = 3.5 Vdc, IDS = 6.5 mA)
VGS(th)
-1.2
-0.9
-0.7
Vdc
Quiescent Gate Voltage
(VDS = 12 Vdc, ID = 55 mA)
VGS(Q)
-1.2
-0.9
-0.7
Vdc
Power Gain
(VDD = 12 Vdc, IDQ = 55 mA, f = 3.55 GHz)
Gps
10
11.5
—
dB
Output Power, 1 dB Compression Point
(VDD = 12 Vdc, IDQ = 55 mA, f = 3.55 GHz)
P1dB
—
3
—
W
Drain Efficiency
(VDD = 12 Vdc, IDQ = 55 mA, Pout = 0.30 W Avg.,
f = 3.55 GHz)
hD
23
25
—
%
Adjacent Channel Power Ratio
(VDD = 12 Vdc, Pout = 0.30 W Avg., IDQ = 55 mA,
f = 3.55 GHz, W-CDMA, 8.5 P/A @ 0.01% Probability,
64 CH, 3.84 MCPS)
ACPR
—
-42
-40
dBc
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MRFG35003N6T1 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
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