參數(shù)資料
型號： MRFE6S9200HR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-880, CASE 465B-03, 2 PIN
文件頁數(shù)： 10/11頁
文件大?。?/td> 393K
代理商： MRFE6S9200HR3
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9200HR3 MRFE6S9200HSR3
Zload
Zsource
f = 800 MHz
Zo = 5 Ω
f = 960 MHz
f = 800 MHz
f = 960 MHz
VDD = 28 Vdc, IDQ = 1400 mA, Pout = 58 W Avg.
f
MHz
Zsource
W
Zload
W
800
4.23 - j4.85
0.70 - j0.33
820
4.46 - j4.69
0.76 - j0.13
840
4.39 - j4.75
0.78 - j0.02
860
4.06 - j4.68
0.79 + j0.09
880
3.70 - j4.45
0.81 + j0.16
900
3.55 - j4.04
0.86 + j0.21
920
3.57 - j3.71
0.89 + j0.27
940
3.67 - j3.47
0.89 + j0.31
960
3.67 - j3.45
0.82 + j0.33
Zsource = Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Figure 16. Series Equivalent Source and Load Impedance
Z source
Z load
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRFE6S9201HSR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRFE6S9201HR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRFE6S9205HSR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRFE6S9205HR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRFE6VP5600HSR6 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRFE6S9200HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 200W NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9200HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 200W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9200HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 200W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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