- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄98042 > MRF9060MBR1 (FREESCALE SEMICONDUCTOR INC) UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272 PDF資料下載
參數資料
| 型號： | MRF9060MBR1 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272 |
| 封裝： | PLASTIC, CASE 1337-03, 2 PIN |
| 文件頁數： | 13/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 541K |
| 代理商： | MRF9060MBR1 |
AR
C
HIVE
INF
O
RMA
TI
O
N
ARCHIVE
INFORMA
TION
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF9060MR1 MRF9060MBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
Gps
960
11
19
36
50
IRL
η
VDD = 26 Vdc
Pout = 60 W (PEP)
IDQ = 450 mA
TwoTone, 100 kHz Tone Spacing
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Class AB Broadband Circuit Performance
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
10
18
14
IMD,
INTERMODULA
TION
DIST
OR
TION
(dBc)
IRL,
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
12
16
18
45
17
40
16
35
15
28
14
30
13
32
12
34
955
950
945
940
935
930
,DRAINη
EFFICIENCY
(%)
Figure 4. Power Gain versus Output Power
Figure 5. Intermodulation Distortion versus
Output Power
Figure 6. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
100
8
20
0.1
0
60
η
VDD = 26 Vdc
IDQ = 450 mA
f = 945 MHz
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 7. Power Gain and Efficiency versus
Output Power
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
η
18
50
16
40
14
30
12
20
10
110
Gps
100
19
IDQ = 625 mA
450 mA
VDD = 26 Vdc
f1 = 945 MHz
f2 = 945.1 MHz
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
275 mA
500 mA
18.5
18
17.5
17
16.5
10
1
100
55
15
IDQ = 275 mA
450 mA
VDD = 26 Vdc
f1 = 945 MHz
f2 = 945.1 MHz
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
INTERMODULA
TION
DIST
O
R
T
ION
(dBc)
IMD,
500 mA
625 mA
20
30
40
50
110
45
35
25
100
80
10
7th Order
VDD = 26 Vdc
IDQ = 450 mA
f1 = 945 MHz
f2 = 945.1 MHz
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
INTERMODULA
TION
DIST
OR
TION
(dBc)
IMD,
5th Order
3rd Order
20
30
40
50
60
70
110
IMD
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF9060NR1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA |
| MRF9080LR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF9080LR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF9100LR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF9100LSR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MRF9060MR1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| MRF9060NBR1 | 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN TO272-2 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> RF FET 系列:- 產品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數據:- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF9060NR1 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 60W 1GHZ FET TO-270 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF9060NR1_09 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRF9060R1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:945 MHz, 60 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。