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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF9030LR1 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-360, CASE 360B-05, 2 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 351K |
| 代理商： | MRF9030LR1 |
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RE
CO
MMENDED
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NEW
DE
S
IG
N
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FOR
NEW
DESIGN
MRF9030LR1
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PRODUCT DOCUMENTATION
Refer to the following documents to aid your design process.
Engineering Bulletins
EB212: Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices
REVISION HISTORY
The following table summarizes revisions to this document.
Revision
Date
Description
8
Sept. 2008
Data sheet revised to reflect part status change, p. 1, including use of applicable overlay.
Added Product Documentation and Revision History, p. 9
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF9045LSR1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
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| MRF904 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-72 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF9030LR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 30W RF PWR FET NI-360L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF9030LSR1 | 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-360S RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
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| MRF9030MBR1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| MRF9030MR1 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
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