參數(shù)資料
型號： MRF8S9260HR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-880, CASE 465B-03, 2 PIN
文件頁數(shù)： 13/14頁
文件大?。?/td> 304K
代理商： MRF8S9260HR3
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S9260HR3 MRF8S9260HSR3
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
40
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD = 28 Vdc, IDQ = 1700 mA, Pulsed CW, 10 μsec(on), 10% Duty Cycle
56
54
52
41
57
55
P
out
,OUTPUT
POWER
(dBm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
53
58
60
39
38
37
33
44
36
35
59
51
50
34
42
43
940 MHz
Ideal
Actual
920 MHz
960 MHz
940 MHz 960 MHz
920 MHz
61
f
(MHz)
P1dB
P3dB
Watts
dBm
Watts
dBm
920
363
55.6
447
56.5
940
363
55.6
417
56.2
960
363
55.6
437
56.4
Test Impedances per Compression Level
f
(MHz)
Zsource
Ω
Zload
Ω
920
P1dB
0.94 - j2.68
2.19 - j2.10
940
P1dB
1.18 - j2.65
2.18 - j2.52
960
P1dB
1.24 - j3.10
2.72 - j2.11
Figure 10. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MRF8S9260HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 900MHZ 260W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S9260HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 900MHZ 260W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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MRF9002R2 制造商:MOT 功能描述:_
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