參數(shù)資料
型號(hào)： MRF8S9202NR3
廠(chǎng)商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, OM-780-2, CASE 2021-03, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 12/13頁(yè)
文件大小： 647K
代理商： MRF8S9202NR3
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S9202NR3
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD =28 Vdc,IDQ = 1150 mA, Pulsed CW, 10 μsec(on), 10% Duty Cycle
56
53
50
57.5
54.5
45.5
P out
,O
UT
PU
T
POWER
(d
Bm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
51.5
59
27
60.5
48.5
47
28.5
Ideal
Actual
960 MHz
44
30 31.5 33 34.5 36 37.5
39 40.5 42 43.5
940 MHz
920 MHz
960 MHz
940 MHz
920 MHz
f
(MHz)
P1dB
P3dB
Watts
dBm
Watts
dBm
920
298
54.7
362
55.6
940
290
54.6
358
55.5
960
283
54.5
352
55.5
Test Impedances per Compression Level
f
(MHz)
Zsource
Zload
920
P1dB
1.66 -- j3.06
4.27 -- j0.73
940
P1dB
2.08 -- j3.44
4.57 + j0.04
960
P1dB
2.86 -- j3.13
4.40 + j0.94
Figure 10. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF8S9220HSR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S9260HR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S9260HSR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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MRF901 S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MRF8S9220HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 900MHZ 66W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S9220HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 WCDMA 66W 28V NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S9220HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 WCDMA 66W 28V NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S9232NR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 900MHZ 60W OM780-2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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