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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF8S8260HR3 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-880, CASE 465B-03, 2 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/14頁(yè) |
| 文件大小： | 576K |
| 代理商： | MRF8S8260HR3 |
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RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S8260HR3 MRF8S8260HSR3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8S8260HSR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S9120NR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S9202NR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S9220HSR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S9260HR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF8S8260HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 900MHZ 260W NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8S8260HSR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 900MHZ 260W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8S8260HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 900MHZ 260W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8S9100HR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 900MHZ 100W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8S9100HR3_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
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