參數(shù)資料
型號(hào)： MRF8P26080HR5
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780-4, CASE 465M-01, 4 PIN
文件頁數(shù)： 13/14頁
文件大?。?/td> 563K
代理商： MRF8P26080HR5
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8P26080HR3 MRF8P26080HSR3
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
32
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD =28 Vdc,IDQA = 300 mA, Pulsed CW 10 μsec(on), 10% Duty Cycle
47
45
35
33
Actual
Ideal
48
46
41
P out
,O
UT
PU
T
POWER
(d
Bm)
Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
49
50
51
52
31
30
29
24
28
25
f = 2620 MHz
27
26
44
43
f = 2570 MHz
f = 2595 MHz
34
f = 2570 MHz
42
f = 2595 MHz
f
(MHz)
P1dB
P3dB
Watts
dBm
Watts
dBm
2570
50
47.0
61.7
47.9
2595
51
47.1
60.3
47.8
2620
49
46.9
60.3
47.8
Test Impedances per Compression Level
f
(MHz)
Zsource
Zload
2570
P1dB
15.3 -- j13.5
3.65 -- j6.25
2595
P1dB
17.4 -- j12.6
4.26 -- j5.53
2620
P1dB
18.0 -- j10.3
4.09 -- j5.62
Figure 13. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V
NOTE: Measurement made on the Class AB, carrier side of the device.
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PDF描述
MRF8P29300HR5 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8P29300HSR5 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8P29300HSR6 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8P29300HR6 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8P8300HR6 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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MRF8P26080HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.6GHZ 80W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8P29300HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 300W 50V NI1230 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8P29300HR6 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 300W 50V NI1230 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8P29300HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 300W 50V NI1230S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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