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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF7S21110HSR3 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, CASE 465A-06, NI-780S, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 403K |
| 代理商： | MRF7S21110HSR3 |
MRF7S21110HR3 MRF7S21110HSR3
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PRODUCT DOCUMENTATION
Refer to the following documents to aid your design process.
Application Notes
AN1955: Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers
Engineering Bulletins
EB212: Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices
REVISION HISTORY
The following table summarizes revisions to this document.
Revision
Date
Description
0
Sept. 2007
Initial Release of Data Sheet
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF7S21110HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF7S21170HSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF7S21170HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF7S21210HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF7S21210HSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF7S21110HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 33W WCDMA NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF7S21150HR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 2.1GHZ 150W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF7S21150HR3_09 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF7S21150HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 2.1GHZ 150W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF7S21150HSR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 2.1GHZ 150W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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