參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6VP3091NR1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1486-03, WB-4, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 15/18頁(yè)
文件大?。?/td> 749K
代理商： MRF6VP3091NR1
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6VP3091NR1 MRF6VP3091NR5 MRF6VP3091NBR1 MRF6VP3091NBR5
TYPICAL CHARACTERISTICS — TWO--TONE, SINGLE--ENDED NARROWBAND
Figure 9. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
--70
--10
10
7th Order
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
VDD =50 Vdc,IDQ = 350 mA, f1 = 854 MHz
f2 = 860 MHz, Two--Tone Measurements
3rd Order
--20
--30
--40
IM
D,
INT
ERM
O
DULA
TIO
N
DIST
O
RT
ION
(dBc
)
--60
5th Order
1
--50
100
200
Figure 10. Intermodulation Distortion
Products versus Two--Tone Spacing
10
--20
1
7th Order
TWO--TONE SPACING (MHz)
5th Order
3rd Order
--35
--45
--55
90
IM
D,
INT
ERM
O
DULA
TIO
N
DIST
O
RT
ION
(dBc
)
--65
--25
VDD =50 Vdc,Pout = 90 W (PEP), IDQ = 350 mA
Two--Tone Measurements
--30
--40
--50
--60
Figure 11. Two--Tone Power Gain versus
Output Power
20
23.5
1
IDQ = 450 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
23
20.5
10
200
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B) 22.5
21.5
VDD = 50 Vdc, f1 = 854 MHz, f2 = 860 MHz
Two--Tone Measurements, 6 MHz Tone Spacing
250 mA
22
21
100
300 mA
350 mA
Figure 12. Third Order Intermodulation
Distortion versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
10
VDD = 50 Vdc, f1 = 854 MHz, f2 = 860 MHz
Two--Tone Measurements, 6 MHz Tone Spacing
100
1
IDQ = 250 mA
300 mA
350 mA
450 mA
--20
--40
--50
--60
--10
--30
INT
ERM
O
DULA
TIO
N
DIST
O
RT
ION
(dBc
)
IM
D,
TH
IRD
O
RDE
R
200
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6VP3091NBR1 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF6VP3091NR5 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRF6VP3450HR5 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6VP3450HR6 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6VP3450HSR6 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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MRF6VP3450HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 450W 860MHZ NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6VP3450HR5-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:MRF6VP3450H Series 470 - 860 MHz 110 V N-Channel RF Power Mosfet
MRF6VP3450HR6 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 450W 860MHZ NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6VP3450HR6_10 制造商:FREESCALE 制造商全稱(chēng):Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
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