參數(shù)資料
型號： MRF6V12500HSR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN
文件頁數(shù)： 13/13頁
文件大小： 1197K
代理商： MRF6V12500HSR3
MRF6V12500HR3 MRF6V12500HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS — 960--1215 MHz
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
1300
900
IRL
Gps
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 14. Pulsed Power Gain, Drain Efficiency and IRL
versus Frequency
1150
1100
1050
1000
950
20
18
--20
66
62
0
--10
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
ηD
15
14
11
10
19
17
16
58
13
12
1200
1250
VDD =50 Vdc,Pout = 500 W Peak (50 W Avg.), IDQ = 200 mA
Pulse Width = 128 μsec, Duty Cycle = 10%
600
17
22
40
65
Pout, PEAK OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 15. Power Gain and Drain Efficiency versus
Output Power
VDD =50 Vdc
IDQ = 200 mA
Pulse Width = 128 μsec
Duty Cycle = 10%
400
200
21
20
19
18
60
55
50
45
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
Gps
ηD
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
64
60
56
--5
--15
IRL,
INPUT
RET
URN
LO
SS
(d
B)
250
300
350
450
500
550
1150 MHz
1030 MHz
960 MHz
1215 MHz
1150 MHz
1030 MHz
960 MHz
1215 MHz
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PDF描述
MRF6V13250HR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6V13250HSR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6V13250HSR5 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6V2150NBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF6V2150NR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
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參數(shù)描述
MRF6V12500HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 500W 50V NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6V13250HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 250W 50V NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6V13250HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 250W 50V NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6V13250HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 250W 50V NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6V13250HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 250W 50V NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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