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參數(shù)資料
| 型號： | MRF6S9130HSR3 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 9/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 486K |
| 代理商： | MRF6S9130HSR3 |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S9130HR3 MRF6S9130HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
25
5
10
15
20
30
45
5
15
25
35
55
IRL,
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
ACPR
(dBc)
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
IRL,
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
ACPR
(dBc)
920
840
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ Pout = 27 Watts Avg.
910
900
890
880
870
860
850
20
19.5
54
34
30
26
44
48
50
920
840
IRL
Gps
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ Pout = 54 Watts Avg.
910
900
890
880
870
860
850
20
19.5
44
47
41
35
34
38
42
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
100
15
20
1
IDQ = 1400 mA
1100 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
19
18
17
10
400
20
1
IDQ = 500 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
100
30
40
50
60
10
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
ηD
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
INTERMODULA
TION
DIST
OR
TION
(dBc)
IMD,
THIRD
ORDER
18.5
17.5
16.5
15.5
15
VDD = 28 Vdc, Pout = 27 W (Avg.)
IDQ = 950 mA, NCDMA IS95 Pilot, Sync,
Paging, Traffic Codes 8 Through 13
18.5
17.5
16.5
15.5
15
16
950 mA
500 mA
10
700 mA
1400 mA
16
17
18
19
52
46
28
32
VDD = 28 Vdc, Pout = 54 W (Avg.)
IDQ = 950 mA, NCDMA IS95 Pilot, Sync
Paging, Traffic Codes 8 Through 13
19
18
17
16
44
38
36
40
ηD
ACPR
VDD = 28 Vdc, f1 = 878.75 MHz, f2 = 881.25 MHz
TwoTone Measurements, 2.5 MHz Tone Spacing
700 mA
400
950 mA
1100 mA
VDD = 28 Vdc, f1 = 878.75 MHz, f2 = 881.25 MHz
TwoTone Measurements, 2.5 MHz Tone Spacing
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