參數(shù)資料
型號： MRF6S27085HSR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN
文件頁數(shù)： 7/11頁
文件大小： 392K
代理商： MRF6S27085HSR3
MRF6S27085HR3 MRF6S27085HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
IRL,
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
ACPR
(dBc),
AL
T1
(dBc)
2700
2600
IRL
ACPR
ALT1
f, FREQUENCY (MHz)
10
2660
2640
2620
13.6
15.2
15
14.8
14.6
14.2
14
13.8
48
38
36
34
36
40
44
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
ηD
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
14.4
2610
2630
2650
2670 2680
32
12
14
16
18
20
22
24
26
2690
32
IRL,
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
ACPR
(dBc),
AL
T1
(dBc)
2700
2600
IRL
ACPR
ALT1
10
VDD = 28 Vdc, Pout = 20 W (Avg.)
IDQ = 900 mA, SingleCarrier NCDMA
2660
2640
2620
14.6
16.2
58
25
24
23
46
50
54
100
12
18
1
IDQ = 1340 mA
1240 mA
VDD = 28 Vdc
f1 = 2643.75 MHz, f2 = 2646.25 MHz
TwoTone Measurements
2.5 MHz Tone Spacing
900 mA
16
15
13
10
20
0.1
100
30
40
60
50
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
INTERMODULA
TION
DIST
OR
TION
(dBc)
IMD,
THIRD
ORDER
2610
2630
2650
2670 2680
22
12
14
16
18
20
22
24
26
17
14
440 mA
IDQ = 440 mA
1340 mA
900 mA
1240 mA
675 mA
2690
42
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ 20 Watts Avg.
Figure 4. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ 45 Watts Avg.
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
Gps
675 mA
110
VDD = 28 Vdc
f1 = 2643.75 MHz, f2 = 2646.25 MHz
TwoTone Measurements
2.5 MHz Tone Spacing
16
15.8
15.6
15.4
15.2
15
14.8
1.2288 MHz Channel Bandwidth
PAR = 9.8 dB @ 0.01%
Probability (CCDF)
ηD
Gps
VDD = 28 Vdc, Pout = 45 W (Avg.)
IDQ = 900 mA, SingleCarrier NCDMA
1.2288 MHz Channel Bandwidth
PAR = 9.8 dB @ 0.01%
Probability (CCDF)
300
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