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參數資料
| 型號： | MRF6S21190HR3 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-880, CASE 465B-03, 2 PIN |
| 文件頁數： | 6/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 418K |
| 代理商： | MRF6S21190HR3 |
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S21190HR3 MRF6S21190HSR3
Figure 2. MRF6S21190HR3(HSR3) Test Circuit Component Layout
R1
CUT
OUT
AREA
MRF6S21190H/HS Rev. 0
B1
R2
C6
C7
C8
C1
C4
C9
C10
C12
C11
C13
C2
C18
C16
C15
C14
C5
C17
C3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S23100HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF6S23140HSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF6S23140HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF6S27050HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF6S27050HSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MRF6S21190HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2.1GHZ 54W NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6S21190HSR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2.1GHZ 54W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6S21190HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2.1GHZ 54W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6S23100H | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6S23100HR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2.3GHZ 20W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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