參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S19140HSR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁(yè)數(shù)： 8/12頁(yè)
文件大小： 399K
代理商： MRF6S19140HSR3
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S19140HR3 MRF6S19140HSR3
Figure 15. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Z
source
Z
load
1900
1930
1960
1.13 - j0.67
1.07 - j0.46
1.11 - j0.60
2.27 - j3.95
2.00 - j4.24
1.72 - j3.96
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1150 mA, P
out
= 29 W Avg.
Z
o
= 5
Z
load
f = 1900 MHz
f = 2020 MHz
Z
source
1990
2020
1.01 - j0.17
1.06 - j0.30
1.80 - j3.51
1.69 - j3.17
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
f = 1900 MHz
f = 2020 MHz
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MRF6S19200HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 1.9GHZ 56W 28V NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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