參數(shù)資料
型號： MRF6P3300H
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor
中文描述： RF功率場效應晶體管
文件頁數(shù)： 6/24頁
文件大?。?/td> 1017K
代理商： MRF6P3300H
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6P3300HR3 MRF6P3300HR5
TYPICAL NARROWBAND CHARACTERISTICS
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
70
10
10
7th Order
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
V
DD
= 32 Vdc, I
DQ
= 1600 mA, f1 = 857 MHz
f2 = 863 MHz, TwoTone Measurements
3rd Order
20
30
40
50
100
600
I
60
5th Order
5
Figure 8. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing @ 860 MHz
10
55
20
0.01
7th Order
TWOTONE SPACING (MHz)
V
DD
= 32 Vdc, P
out
= 270 W (PEP), I
DQ
= 1600 mA
TwoTone Measurements, f = 860 MHz
5th Order
3rd Order
25
30
40
50
1
40
I
0.1
35
45
Figure 9. Pulse CW Output Power versus
Input Power
44
64
34
P
in
, INPUT POWER (dBm)
V
DD
= 32 Vdc, I
DQ
= 1600 mA
Pulsed CW, 8
μ
sec(on), 1 msec(off)
f = 860 MHz
61
60
59
57
52
36
38
40
42
Actual
Ideal
63
62
53
32
P
o
,
55
58
56
54
33
35
37
39
41
43
P1dB = 55.20 dBm
(330.94 W)
P3dB = 55.87 dBm
(386.48 W)
P6dB = 56.28 dBm
(424.54 W)
A
Figure 10. Single-Carrier DVBT OFDM ACPR,
Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power
15
64
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
45
40
30
20
44
48
60
30
40
100
56
η
D
,
p
,
G
ps
ACPR
V
DD
= 32 Vdc, I
DQ
= 1600 mA, f = 860 MHz
8K Mode OFDM, 64 QAM Data Carrier
Modulation, 5 Symbols
90
30 C
40
50
60 70 80
25 C
20
200
35
25
52
30 C
25 C
85 C
T
C
= 85 C
25 C
η
D
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PDF描述
MRF6P9220HR3 880 MHz, 47 W AVG., 28 V SINGLE N-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET
MRF6S18100NBR1 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S18140HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S19060NBR1 RF Power Field Effect Transistors
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參數(shù)描述
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